P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Texas Instruments | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 4-DSBGA (1x1) | |
基本製品番号 | CSD23202 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | NexFET™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.5V, 4.5V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 53mOhm @ 500mA, 4.5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 900mV @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | 4-UFBGA, DSBGA | |
Vgs (最大) | -6V | |
FETタイプ | P-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 12 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 512 pF @ 6 V | |
消費電力(最大) | 1W (Ta) | |
その他の名前 | CSD23202W10-ND 296-40000-2 296-40000-1 -296-40000-1-ND 296-40000-6 |
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