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NTBG020N090SC1
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2265020-NTBG020N090SC1
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTBG020N090SC1
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
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N-Channel 900 V 9.8A (Ta), 112A (Tc) 3.7W (Ta), 477W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK-7 | |
| 基本製品番号 | NTBG020 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 9.8A (Ta), 112A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 28mOhm @ 60A, 15V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.3V @ 20mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 200 nC @ 15 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (最大) | +19V, -10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 900 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4415 pF @ 450 V | |
| 消費電力(最大) | 3.7W (Ta), 477W (Tc) | |
| その他の名前 | 488-NTBG020N090SC1TR 488-NTBG020N090SC1CT 488-NTBG020N090SC1DKR |
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