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FQT3P20TF_SB82100
1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE
NOVA部品番号:
312-2316106-FQT3P20TF_SB82100
製造メーカー部品番号:
FQT3P20TF_SB82100
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:
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P-Channel 200 V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Fairchild Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-223-4 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | QFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 670mA (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.7Ohm @ 335mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 250 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Tc) | |
| その他の名前 | 2156-FQT3P20TF_SB82100 FAIFSCFQT3P20TF_SB82100 |
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