P-Channel 30 V 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-5 | |
基本製品番号 | BSC084 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | OptiMOS™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8.4mOhm @ 50A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3.1V @ 105µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
Vgs (最大) | ±25V | |
FETタイプ | P-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4785 pF @ 15 V | |
消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | |
その他の名前 | BSC084P03NS3 GCT-ND BSC084P03NS3GATMA1CT BSC084P03NS3 G-ND BSC084P03NS3G BSC084P03NS3 GDKR-ND BSC084P03NS3 GCT BSC084P03NS3 GDKR BSC084P03NS3GATMA1DKR SP000473020 BSC084P03NS3 G BSC084P03NS3GATMA1TR BSC084P03NS3 GTR-ND |
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