SIS410DN-T1-GE3

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MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

NOVA部品番号:

312-2280357-SIS410DN-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIS410DN-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8
基本製品番号	SIS410
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	35A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	41 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® 1212-8
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1600 pF @ 10 V
消費電力(最大)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
その他の名前	SIS410DN-T1-GE3DKR SIS410DN-T1-GE3-ND SIS410DNT1GE3 SIS410DN-T1-GE3TR SIS410DN-T1-GE3CT