SI1032X-T1-GE3

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MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

NOVA部品番号:

312-2284539-SI1032X-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI1032X-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 20 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SC-89-3
基本製品番号	SI1032
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	0.75 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SC-89, SOT-490
Vgs (最大)	±6V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
消費電力(最大)	300mW (Ta)
その他の名前	SI1032X-T1-GE3TR SI1032X-T1-GE3CT SI1032X-T1-GE3DKR SI1032XT1GE3