アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
NOVA部品番号:
312-2283025-IPD600N25N3GATMA1
製造メーカー部品番号:
IPD600N25N3GATMA1
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | |
| 基本製品番号 | IPD600 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 25A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 90µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 250 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2350 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 136W (Tc) | |
| その他の名前 | IPD600N25N3GATMA1TR IPD600N25N3GATMA1DKR SP001127834 IPD600N25N3GATMA1CT |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
SQD10950E_GE3Vishay Siliconix
MJD44H11T4Gonsemi
IPT015N10N5ATMA1Infineon Technologies
SZ1SMA5918BT3Gonsemi
IPD320N20N3GATMA1Infineon Technologies
FDP045N10A-F102onsemi
INA180A1IDBVRTexas Instruments
1N4148W-7-FDiodes Incorporated
