アルミニウム ワシ オーカード パッド キッカド 
PHB11N06LT,118
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2343132-PHB11N06LT,118
製造元:
製造メーカー部品番号:
PHB11N06LT,118
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
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N-Channel 55 V 10.3A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount D2PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK | |
| 基本製品番号 | PHB11 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 10.3A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 130mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±15V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 55 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 330 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 33W (Tc) | |
| その他の名前 | 934055182118 PHB11N06LT /T3 PHB11N06LT /T3-ND |
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