N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 | |
基本製品番号 | BSZ123 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | OptiMOS™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 40A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 12.3mOhm @ 20A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 33µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1700 pF @ 40 V | |
消費電力(最大) | 2.1W (Ta), 66W (Tc) | |
その他の名前 | BSZ123N08NS3GINCT-ND BSZ123N08NS3GATMA1CT BSZ123N08NS3GINTR-ND BSZ123N08NS3GXT BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GINTR BSZ123N08NS3G BSZ123N08NS3GATMA1TR SP000443632 BSZ123N08NS3GINCT BSZ123N08NS3GATMA1DKR BSZ123N08NS3GINDKR-ND BSZ123N08NS3GINDKR |
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