アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
BSC040N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
NOVA部品番号:
312-2281853-BSC040N08NS5ATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC040N08NS5ATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-7 | |
| 基本製品番号 | BSC040 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.8V @ 67µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3900 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| その他の名前 | BSC040N08NS5ATMA1DKR BSC040N08NS5ATMA1CT BSC040N08NS5ATMA1TR BSC040N08NS5ATMA1-ND SP001132452 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
1N4148WS-7-FDiodes Incorporated
DMG2301LK-7Diodes Incorporated
19-213USRC/S259/TR8Everlight Electronics Co Ltd
BSC061N08NS5ATMA1Infineon Technologies
SI7113ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
YC164-JR-074K7LYAGEO
1N5819HW1-7-FDiodes Incorporated- BSC040N10NS5ATMA1Infineon Technologies
LTC4015EUHF#PBFAnalog Devices Inc.- BSC117N08NS5ATMA1Infineon Technologies
SQM60030E_GE3Vishay Siliconix
