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FDV302P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
NOVA部品番号:
312-2315672-FDV302P
製造メーカー部品番号:
FDV302P
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:
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P-Channel 25 V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Fairchild Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23 | |
| 基本製品番号 | FDV30 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.7V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.31 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | -8V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 25 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 11000 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 350mW (Ta) | |
| その他の名前 | 2156-FDV302P ONSFSCFDV302P |
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