アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
NVF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
NOVA部品番号:
312-2290585-NVF6P02T3G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NVF6P02T3G
ひょうじゅんほうそう:
4,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
P-Channel 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-223 (TO-261) | |
| 基本製品番号 | NVF6P02 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 50mOhm @ 6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (最大) | ±8V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1200 pF @ 16 V | |
| 消費電力(最大) | 8.3W (Ta) | |
| その他の名前 | NVF6P02T3GOSDKR NVF6P02T3GOSCT NVF6P02T3GOSTR NVF6P02T3G-ND |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
BAT54-7-FDiodes Incorporated
FDT434PFairchild Semiconductor
KSZ9031RNXIA-TRMicrochip Technology
NTF6P02T3Gonsemi
DMP6023LE-13Diodes Incorporated- NDT456Ponsemi
- ZXMP3A16GTADiodes Incorporated
