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TK9J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
NOVA部品番号:
312-2289058-TK9J90E,S1E
製造メーカー部品番号:
TK9J90E,S1E
ひょうじゅんほうそう:
25
技術データシート:
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N-Channel 900 V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-3P(N) | |
| 基本製品番号 | TK9J90 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 9A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 900µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 900 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2000 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 250W (Tc) | |
| その他の名前 | TK9J90E,S1E(S TK9J90ES1E |
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