N-Channel 60 V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | I-PAK | |
基本製品番号 | FQU13N06 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | QFET® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 115mOhm @ 5.5A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 6.4 nC @ 5 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 350 pF @ 25 V | |
消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | |
その他の名前 | ONSONSFQU13N06LTU 2156-FQU13N06LTU-OS |
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