アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
IXTA08N100D2HV
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
NOVA部品番号:
312-2303519-IXTA08N100D2HV
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXTA08N100D2HV
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 1000 V 800mA (Tj) 60W (Tc) Surface Mount TO-263HV
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263HV | |
| 基本製品番号 | IXTA08 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Depletion | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 800mA (Tj) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 0V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 21Ohm @ 400mA, 0V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 25µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | Depletion Mode | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1000 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 325 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 60W (Tc) |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IXTA08N100D2IXYS
