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NTR1P02T1G
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
NOVA部品番号:
312-2284503-NTR1P02T1G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTR1P02T1G
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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P-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| 基本製品番号 | NTR1P02 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 165 pF @ 5 V | |
| 消費電力(最大) | 400mW (Ta) | |
| その他の名前 | NTR1P02T1GOSTR NTR1P02T1GOSCT NTR1P02T1GOSDKR 2156-NTR1P02T1G-OS NTR1P02T1GOS NTR1P02T1GOS-ND ONSONSNTR1P02T1G |
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