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TPH6R30ANL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
NOVA部品番号:
312-2301470-TPH6R30ANL,L1Q
製造メーカー部品番号:
TPH6R30ANL,L1Q
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
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N-Channel 100 V 66A (Ta), 45A (Tc) 2.5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 150°C | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5) | |
| 基本製品番号 | TPH6R30 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSVIII-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 66A (Ta), 45A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6.3mOhm @ 22.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 500µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4300 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 54W (Tc) | |
| その他の名前 | TPH6R30ANLL1Q |
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