N-Channel 40 V 33A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount DPAK
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK | |
基本製品番号 | NVD580 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 33A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 19mOhm @ 15A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 860 pF @ 25 V | |
消費電力(最大) | 40W (Tc) | |
その他の名前 | ONSONSNVD5806NT4G SVD5806NT4G SVD5806NT4GOSTR NVD5806NT4G-ND SVD5806NT4GOSDKR NVD5806NT4GOSCT SVD5806NT4GOSTR-ND SVD5806NT4GOSDKR-ND SVD5806NT4G-ND SVD5806NT4GOSCT-ND NVD5806NT4GOSDKR NVD5806NT4GOSTR SVD5806NT4GOSCT 2156-NVD5806NT4G |
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