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RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
NOVA部品番号:
312-2287789-RQ3E100ATTB
製造メーカー部品番号:
RQ3E100ATTB
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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P-Channel 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) | |
| 基本製品番号 | RQ3E100 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 31A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 11.4mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1900 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 2W (Ta) | |
| その他の名前 | RQ3E100ATTBDKR RQ3E100ATTBCT RQ3E100ATTBTR |
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