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IPW60R024P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
NOVA部品番号:
312-2289909-IPW60R024P7XKSA1
製造メーカー部品番号:
IPW60R024P7XKSA1
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
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N-Channel 650 V 101A (Tc) 291W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO247-3-41 | |
| 基本製品番号 | IPW60R024 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | CoolMOS™ P7 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 101A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 24mOhm @ 42.4A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 2.03mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 164 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 7144 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 291W (Tc) | |
| その他の名前 | 448-IPW60R024P7XKSA1 SP001866180 |
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