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BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
NOVA部品番号:
312-2282427-BSZ100N06NSATMA1
製造メーカー部品番号:
BSZ100N06NSATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
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N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8-FL | |
| 基本製品番号 | BSZ100 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.3V @ 14µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1075 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) | |
| その他の名前 | BSZ100N06NSATMA1TR SP001067006 BSZ100N06NSATMA1CT BSZ100N06NSATMA1DKR BSZ100N06NSATMA1-ND |
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