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IRF840LCLPBF
MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
NOVA部品番号:
312-2264480-IRF840LCLPBF
製造元:
製造メーカー部品番号:
IRF840LCLPBF
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
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N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole I2PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | I2PAK | |
| 基本製品番号 | IRF840 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 850mOhm @ 4.8A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 500 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1100 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) | |
| その他の名前 | *IRF840LCLPBF |
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