N-Channel 100 V 4A (Ta) - Surface Mount Die
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | EPC | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | Die | |
テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) | |
シリーズ | eGaN® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4A (Ta) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 160mOhm @ 500mA, 5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.48 nC @ 5 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | Die | |
Vgs (最大) | +6V, -4V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 55 pF @ 50 V | |
消費電力(最大) | - | |
その他の名前 | 917-1086-1 917-1086-2 917-1086-6 |
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