N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 | |
基本製品番号 | BSP135 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | SIPMOS® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 0V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 45Ohm @ 120mA, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 94µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 4.9 nC @ 5 V | |
FETの特徴 | Depletion Mode | |
パッケージ・ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 600 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 146 pF @ 25 V | |
消費電力(最大) | 1.8W (Ta) | |
その他の名前 | BSP135H6327XTSA1CT BSP135H6327XTSA1DKR BSP135H6327XTSA1TR SP001058812 |
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