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NTNS3A65PZT5GHW
MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
NOVA部品番号:
312-2342539-NTNS3A65PZT5GHW
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTNS3A65PZT5GHW
ひょうじゅんほうそう:
3,000
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P-Channel 20 V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 281mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 1.1 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 3-XFDFN | |
| Vgs (最大) | ±8V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 44 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 155mW (Ta) | |
| その他の名前 | 488-NTNS3A65PZT5GHWTR |
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