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RW1E025RPT2CR
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
NOVA部品番号:
312-2275709-RW1E025RPT2CR
製造メーカー部品番号:
RW1E025RPT2CR
ひょうじゅんほうそう:
8,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
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P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-WEMT | |
| 基本製品番号 | RW1E025 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 75mOhm @ 2.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 6-SMD, Flat Leads | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 480 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 700mW (Ta) | |
| その他の名前 | RW1E025RPT2CRCT RW1E025RPT2CRDKR RW1E025RPT2CRTR |
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