SIRA20DP-T1-RE3

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MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK

NOVA部品番号:

312-2273015-SIRA20DP-T1-RE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIRA20DP-T1-RE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 25 V 81.7A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
基本製品番号	SIRA20
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	81.7A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	200 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8
Vgs (最大)	+16V, -12V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	25 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	10850 pF @ 10 V
消費電力(最大)	6.25W (Ta), 104W (Tc)
その他の名前	SIRA20DP-RE3 SIRA20DP-T1-RE3TR SIRA20DP-T1-RE3CT SIRA20DP-T1-RE3DKR