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SPP11N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
NOVA部品番号:
312-2283532-SPP11N60C3XKSA1
製造メーカー部品番号:
SPP11N60C3XKSA1
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
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N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO220-3-1 | |
| 基本製品番号 | SPP11N60 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.9V @ 500µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1200 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 125W (Tc) | |
| その他の名前 | SP000681040 SPP11N60C3X SPP11N60C3XIN SPP11N60C3BKSA1 SPP11N60C3 SPP11N60C3IN-NDR SPP11N60C3XIN-ND SPP11N60C3IN SPP11N60C3IN-ND SPP11N60C3XK |
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