N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92 | |
基本製品番号 | BS107 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | - | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.6V, 5V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 30Ohm @ 100mA, 5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | - | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
消費電力(最大) | 500mW (Ta) | |
その他の名前 | BS107P-NDR BS107 |
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