IPP041N12N3GXKSA1

MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
NOVA部品番号:
312-2289816-IPP041N12N3GXKSA1
製造メーカー部品番号:
IPP041N12N3GXKSA1
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:

N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Infineon Technologies
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO220-3
基本製品番号 IPP041
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズOptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 120A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 270µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 211 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-220-3
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)120 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 13800 pF @ 60 V
消費電力(最大) 300W (Tc)
その他の名前SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-ND
IPP041N12N3G

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