N-Channel 560 V 32A (Tc) 284W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO247-3-1 | |
基本製品番号 | SPW32N50 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | CoolMOS™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 32A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 110mOhm @ 20A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3.9V @ 1.8mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 560 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4200 pF @ 25 V | |
消費電力(最大) | 284W (Tc) | |
その他の名前 | SPW32N50C3X SPW32N50C3IN-ND SPW32N50C3IN SP000014625 SPW32N50C3 SPW32N50C3-ND SPW32N50C3XK |
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。