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IPN60R1K5PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.6A SOT223
NOVA部品番号:
312-2297269-IPN60R1K5PFD7SATMA1
製造メーカー部品番号:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
ひょうじゅんほうそう:
3,000
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N-Channel 650 V 3.6A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT223-3 | |
| 基本製品番号 | IPN60R1 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | CoolMOS™PFD7 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.5Ohm @ 700mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 40µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 169 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 6W (Tc) | |
| その他の名前 | 448-IPN60R1K5PFD7SATMA1CT 448-IPN60R1K5PFD7SATMA1TR 448-IPN60R1K5PFD7SATMA1DKR SP004748876 |
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