アルミニウム ワシ オーカード パッド キッカド 
UF3SC065030D8S
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
NOVA部品番号:
312-2313420-UF3SC065030D8S
製造元:
製造メーカー部品番号:
UF3SC065030D8S
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 650 V 18A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | UnitedSiC | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 4-DFN (8x8) | |
| 基本製品番号 | UF3SC065030 | |
| テクノロジー | SiCFET (Cascode SiCJFET) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 12V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 42mOhm @ 20A, 12V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 6V @ 10mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 43 nC @ 12 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 4-PowerTSFN | |
| Vgs (最大) | ±25V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1500 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 179W (Tc) | |
| その他の名前 | 2312-UF3SC065030D8SDKR 2312-UF3SC065030D8STR 2312-UF3SC065030D8SCT |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。