NTMS10P02R2G

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
NOVA部品番号:
312-2290452-NTMS10P02R2G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTMS10P02R2G
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:

P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元onsemi
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
基本製品番号 NTMS10
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)2.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 14mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID 1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V
FETの特徴-
パッケージ・ケース8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)±12V
FETタイプP-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 3640 pF @ 16 V
消費電力(最大) 1.6W (Ta)
その他の名前NTMS10P02R2GOSCT
2156-NTMS10P02R2G-OS
NTMS10P02R2GOS
NTMS10P02R2GOSDKR
NTMS10P02R2GOSTR
=NTMS10P02R2GOSCT-ND
NTMS10P02R2GOS-ND
ONSONSNTMS10P02R2G

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