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CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
NOVA部品番号:
312-2281123-CSD17579Q3A
製造メーカー部品番号:
CSD17579Q3A
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
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N-Channel 30 V 20A (Ta) 3.2W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-VSONP (3x3.3) | |
| 基本製品番号 | CSD17579 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 20A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10.2mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.9V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 998 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 3.2W (Ta), 29W (Tc) | |
| その他の名前 | 296-39998-2 296-39998-1 296-39998-6 296-39998-1-NDR 296-39998-6-NDR 296-39998-2-NDR -296-39998-1-ND CSD17579Q3A-ND -CSD17579Q3A-NDR |
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