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BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
NOVA部品番号:
312-2284035-BSH111BKR
製造メーカー部品番号:
BSH111BKR
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
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N-Channel 55 V 210mA (Ta) 302mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-236AB | |
| 基本製品番号 | BSH111 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 210mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 55 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 30 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 302mW (Ta) | |
| その他の名前 | 568-12637-2 568-12637-6-ND 568-12637-6 1727-2340-6 568-12637-2-ND 1727-2340-2 934068056215 1727-2340-1 568-12637-1-ND 568-12637-1 |
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