N-Channel 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252AA | |
基本製品番号 | SUD50 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | TrenchFET® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 50A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8.8mOhm @ 20A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2400 pF @ 20 V | |
消費電力(最大) | 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) | |
その他の名前 | SUD50N04-8M8P-GE3CT SUD50N04-8M8P-GE3CT-ND SUD50N04-8M8P-4GE3CT SUD50N04-8M8P-GE3TR SUD50N04-8M8P-GE3DKR-ND SUD50N048M8P4GE3 SUD50N04-8M8P-GE3TR-ND SUD50N04-8M8P-4GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR SUD50N04-8M8P-4GE3TR |
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