N-Channel 1200 V 42A (Tc) 224W (Tc) Surface Mount TO-263-7
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | GeneSiC Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263-7 | |
基本製品番号 | G3R75 | |
テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
シリーズ | G3R™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 42A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.69V @ 7.5mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 54 nC @ 15 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
Vgs (最大) | ±15V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1560 pF @ 800 V | |
消費電力(最大) | 224W (Tc) | |
その他の名前 | 1242-G3R75MT12J |
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