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SPD15P10PGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
NOVA部品番号:
312-2288486-SPD15P10PGBTMA1
製造メーカー部品番号:
SPD15P10PGBTMA1
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
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P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | |
| 基本製品番号 | SPD15P10 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 15A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 240mOhm @ 10.6A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.1V @ 1.54mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1280 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 128W (Tc) | |
| その他の名前 | SPD15P10P G-ND SPD15P10P G SPD15P10PGBTMA1CT SPD15P10PGBTMA1TR SPD15P10PGBTMA1DKR SP000212233 |
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