IRF640NSTRLPBF

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MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

NOVA部品番号:

312-2280311-IRF640NSTRLPBF

製造元:

製造メーカー部品番号:

IRF640NSTRLPBF

ひょうじゅんほうそう:

800

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D2PAK
基本製品番号	IRF640
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	HEXFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	18A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	67 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1160 pF @ 25 V
消費電力(最大)	150W (Tc)
その他の名前	IRF640NSTRLPBF-ND SP001561810 IRF640NSTRLPBFTR 2156-IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBFCT IRF640NSTRLPBFDKR INFINFIRF640NSTRLPBF Q4322190Z