SI1317DL-T1-GE3

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MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323

NOVA部品番号:

312-2282009-SI1317DL-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI1317DL-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 20 V 1.4A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-50°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SC-70-3
基本製品番号	SI1317
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	1.4A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.8V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	800mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	6.5 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SC-70, SOT-323
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	272 pF @ 10 V
消費電力(最大)	500mW (Tc)
その他の名前	SI1317DL-T1-GE3DKR SI1317DL-T1-GE3TR SI1317DL-T1-GE3CT SI1317DL-T1-GE3-ND