N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PQFN (3x3) | |
基本製品番号 | IRLHM630 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | HEXFET® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.5V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 4.5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.1V @ 50µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 62 nC @ 4.5 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | 8-VQFN Exposed Pad | |
Vgs (最大) | ±12V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3170 pF @ 25 V | |
消費電力(最大) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) | |
その他の名前 | IRLHM630TRPBFTR IRLHM630TRPBF-ND IRLHM630TRPBFCT SP001568974 IRLHM630TRPBFDKR |
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