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IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
NOVA部品番号:
312-2282384-IPC50N04S55R8ATMA1
製造メーカー部品番号:
IPC50N04S55R8ATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
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N-Channel 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-33 | |
| 基本製品番号 | IPC50N04 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 7V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 5.8mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.4V @ 13µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1090 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 42W (Tc) | |
| その他の名前 | IPC50N04S55R8ATMA1CT 2156-IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1TR IPC50N04S55R8ATMA1DKR SP001418130 INFINFIPC50N04S55R8ATMA1 |
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