アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
SQJQ112E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
NOVA部品番号:
312-2288833-SQJQ112E-T1_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQJQ112E-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 8 x 8 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 296A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.53mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 272 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 15945 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 600W (Tc) | |
| その他の名前 | 742-SQJQ112E-T1_GE3CT 742-SQJQ112E-T1_GE3TR 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
NTAT6H406NT4Gonsemi
STD18NF25STMicroelectronics
STD15N50M2AGSTMicroelectronics
LM5069MM-1/NOPBTexas Instruments
SQJQ160E-T1_GE3Vishay Siliconix
IRF7769L2TRPBFInternational Rectifier
IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon Technologies
IPT020N10N5ATMA1Infineon Technologies
NTB004N10Gonsemi
IPB032N10N5ATMA1Infineon Technologies
SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix
FDBL86361-F085onsemi
SQJQ410EL-T1_GE3Vishay Siliconix
