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DMN62D1SFB-7B
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
NOVA部品番号:
312-2284486-DMN62D1SFB-7B
製造メーカー部品番号:
DMN62D1SFB-7B
ひょうじゅんほうそう:
10,000
技術データシート:
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N-Channel 60 V 410mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | X1-DFN1006-3 | |
| 基本製品番号 | DMN62 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 410mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.4Ohm @ 40mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.8 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 3-UFDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 80 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 470mW (Ta) | |
| その他の名前 | -DMN62D1SFB-7BDITR DMN62D1SFB-7BDIDKR DMN62D1SFB-7BDICT DMN62D1SFB-7BDI-ND -DMN62D1SFB-7BDICT -DMN62D1SFB-7BDIDKR DMN62D1SFB-7BDITR DMN62D1SFB-7BDI |
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