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BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
NOVA部品番号:
312-2282672-BSZ160N10NS3GATMA1
製造メーカー部品番号:
BSZ160N10NS3GATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
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N-Channel 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 | |
| 基本製品番号 | BSZ160 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 40A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 16mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 12µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1700 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) | |
| その他の名前 | BSZ160N10NS3 GINTR-ND BSZ160N10NS3 G-ND BSZ160N10NS3 GINDKR-ND BSZ160N10NS3GATMA1CT BSZ160N10NS3 GINCT-ND BSZ160N10NS3G BSZ160N10NS3 GINDKR SP000482390 BSZ160N10NS3 GINTR BSZ160N10NS3 G BSZ160N10NS3GATMA1DKR BSZ160N10NS3GATMA1TR BSZ160N10NS3 GINCT |
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