SIR664DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

NOVA部品番号:

312-2287793-SIR664DP-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIR664DP-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

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ワシ

キッカド

N-Channel 60 V 60A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
基本製品番号	SIR664
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	40 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1750 pF @ 30 V
その他の名前	SIR664DP-T1-GE3TR SIR664DP-T1-GE3CT SIR664DP-T1-GE3DKR

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