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TK60F10N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
NOVA部品番号:
312-2273509-TK60F10N1L,LXGQ
製造メーカー部品番号:
TK60F10N1L,LXGQ
ひょうじゅんほうそう:
1,000
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N-Channel 100 V 60A (Ta) 205W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220SM(W) | |
| 基本製品番号 | TK60F10 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSVIII-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 60A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6.11mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 500µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4320 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 205W (Tc) | |
| その他の名前 | 264-TK60F10N1LLXGQDKR 264-TK60F10N1LLXGQCT 264-TK60F10N1LLXGQTR TK60F10N1L,LXGQ(O |
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