アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
C3M0280090D
SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
NOVA部品番号:
312-2264625-C3M0280090D
製造元:
製造メーカー部品番号:
C3M0280090D
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 900 V 11.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| 基本製品番号 | C3M0280090 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | C3M™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 360mOhm @ 7.5A, 15V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 1.2mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 9.5 nC @ 15 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | +18V, -8V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 900 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 150 pF @ 600 V | |
| 消費電力(最大) | 54W (Tc) |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
C3M0075120KWolfspeed, Inc.
C3M0120090DWolfspeed, Inc.
C3M0120065KWolfspeed, Inc.
AOT1N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.
C3M0016120DWolfspeed, Inc.
G3R350MT12DGeneSiC Semiconductor
IXFR32N100Q3IXYS- G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
- C2M0280120DWolfspeed, Inc.
C4D02120AWolfspeed, Inc.- G3R160MT12DGeneSiC Semiconductor
- C3M0065090DWolfspeed, Inc.
