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FDMC5614P
MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
NOVA部品番号:
312-2282650-FDMC5614P
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDMC5614P
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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P-Channel 60 V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| 基本製品番号 | FDMC5614 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 100mOhm @ 5.7A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1055 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) | |
| その他の名前 | FDMC5614PDKR FDMC5614PCT FDMC5614PTR |
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